湖北深紫科技有限公司開放多年AlN外延技術(shù)積累成果,推出基于Sapphire或SiC的高質(zhì)量AlN/AlGaN單層及多層全結(jié)構(gòu)外延片,旨在助力深紫外相關(guān)科研及產(chǎn)業(yè)化。
基于平面藍(lán)寶石(FSS)、納米圖形化藍(lán)寶石(NPSS)或SiC…
在不同襯底上,生長(zhǎng)厚度50~5000nm的高質(zhì)量的AlN或AlGaN單層/多層結(jié)構(gòu)
尤其擅長(zhǎng)AlN或高Al組分AlGaN基模板或全結(jié)構(gòu)外延定制,最佳Al組分≥0.4
可定制生長(zhǎng)紫外探測(cè)器、LED、HEMT等AlGaN基器件全結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料
長(zhǎng)期開展AlN/AlGaN基光電器件研發(fā),擁有一支高素質(zhì)外延團(tuán)隊(duì),材料定制化生長(zhǎng)經(jīng)驗(yàn)豐富
得益于長(zhǎng)達(dá)十年的高溫MOCVD外延生長(zhǎng)經(jīng)驗(yàn),尤其擅長(zhǎng)AlN及Al組分高于0.4的AlGaN的外延生長(zhǎng)及n型摻雜
2英寸,XRC (002/102) ≤ 80/400 arcsec,厚度均勻性(5%),AFM RMS(<1nm),厚度1~3um可調(diào)
基于高質(zhì)量AlN模板的原位生長(zhǎng)AlxGa1-xN模板,Al組分0.4~1可調(diào),n型摻雜激活濃度≥3e18 cm-3
產(chǎn)品型號(hào) | 產(chǎn)品類別 | 產(chǎn)品圖片 | 晶體質(zhì)量 (002) | 晶體質(zhì)量 (102) | 外延層厚度 | 表面粗糙度 | 邊緣扣除 | 規(guī)格書 |
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WAlN-SA400 | Sapphire/AlN外延片/模板 | ≤ 80 arcsec | ≤ 400 arcsec | 2~3 μm | ≤ 1 nm | ≤ 3 mm | ||
WAlN-NS400 | NPSS/AlN外延片/模板 | ≤ 200 arcsec | ≤ 200 arcsec | ≥ 5 μm | ≤ 1 nm | ≤ 3 mm | ||
WAlN-SC001 | SiC/AlN外延片/模板 | 50~5000 nm | ||||||
WAGN-AN001 | AlGaN外延片/模板 | ≤ 300 arcsec | ≤ 500 arcsec | 1~2 μm | ≤ 2 nm | ≤ 3 mm |
基于高質(zhì)量的AlN和AlGaN材料生長(zhǎng)技術(shù),深紫科技科提供定制化的紫外探測(cè)器、LED及HEMT外延生長(zhǎng)服務(wù)
專業(yè)的PIN、APD、量子阱等結(jié)構(gòu)的AlGaN基紫外探測(cè)器全結(jié)構(gòu)研發(fā)、批量生產(chǎn)。多年的紫外探測(cè)器定制化服務(wù)經(jīng)驗(yàn),服務(wù)國內(nèi)外多家著名研究單位、企業(yè),標(biāo)準(zhǔn)交期一個(gè)月,提供批量的芯片代工服務(wù)
面向科研用途的UVC-LED上游外延片資源,支持科研單位將商用的UVC-LED外延片用于Nano/Micro-LED的前沿探索研究。2英寸,波長(zhǎng)270~280 nm,3030芯片120 mA下8~12 mW,扎測(cè)電壓10V
高度定制化的HEMT外延研發(fā)、中試服務(wù)商,根據(jù)客戶結(jié)構(gòu)定制生長(zhǎng)。典型方阻275 Ω/□,二維電子氣1.2e13 cm-3,遷移率1900 cm2/Vs
我司外延團(tuán)隊(duì)生長(zhǎng)的全結(jié)構(gòu)材料在制作成器件后,已經(jīng)進(jìn)入民用生活、工業(yè)應(yīng)用、空間探測(cè)方方面面