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高質(zhì)量AlN、AlGaN單層/全結(jié)構(gòu)外延片

湖北深紫科技有限公司開放多年AlN外延技術(shù)積累成果，推出基于Sapphire或SiC的高質(zhì)量AlN/AlGaN單層及多層全結(jié)構(gòu)外延片，旨在助力深紫外相關(guān)科研及產(chǎn)業(yè)化。

立即咨詢

豐富外延襯底

基于平面藍寶石（FSS）、納米圖形化藍寶石（NPSS）或SiC…

外延厚度可定制

在不同襯底上，生長厚度50~5000nm的高質(zhì)量的AlN或AlGaN單層/多層結(jié)構(gòu)

高鋁組分外延

尤其擅長AlN或高Al組分AlGaN基模板或全結(jié)構(gòu)外延定制，最佳Al組分≥0.4

多種光電器件

可定制生長紫外探測器、LED、HEMT等AlGaN基器件全結(jié)構(gòu)半導體材料

專業(yè)、專注、專長

長期開展AlN/AlGaN基光電器件研發(fā)，擁有一支高素質(zhì)外延團隊，材料定制化生長經(jīng)驗豐富

華中科技大學技術(shù)團隊多年研發(fā)經(jīng)驗積淀
團隊主要成員參與多起973、國家重點研發(fā)計劃
自主研發(fā)高溫MOCVD設(shè)備，滿足AlN/AlGaN材料生長需求
外延片材料得到深紫外UVC-LED大規(guī)模商用驗證

世界一流的AlN/AlGaN外延模板

得益于長達十年的高溫MOCVD外延生長經(jīng)驗，尤其擅長AlN及Al組分高于0.4的AlGaN的外延生長及n型摻雜

AlN模板

2英寸，XRC (002/102) ≤ 80/400 arcsec，厚度均勻性（5%），AFM RMS（＜1nm），厚度1~3um可調(diào)

AlGaN模板

基于高質(zhì)量AlN模板的原位生長AlxGa1-xN模板，Al組分0.4~1可調(diào)，n型摻雜激活濃度≥3e18 cm-3

產(chǎn)品型號 產(chǎn)品類別 產(chǎn)品圖片 晶體質(zhì)量 (002) 晶體質(zhì)量 (102) 外延層厚度 表面粗糙度 邊緣扣除 規(guī)格書
WAlN-SA400 Sapphire/AlN外延片/模板 SA400 ≤ 80 arcsec ≤ 400 arcsec 2~3 μm ≤ 1 nm ≤ 3 mm 規(guī)格書下載圖片
WAlN-NS400 NPSS/AlN外延片/模板 NS400 ≤ 200 arcsec ≤ 200 arcsec ≥ 5 μm ≤ 1 nm ≤ 3 mm 規(guī)格書下載圖片
WAlN-SC001 SiC/AlN外延片/模板 SC001 50~5000 nm 規(guī)格書下載圖片
WAGN-AN001 AlGaN外延片/模板 AN001 ≤ 300 arcsec ≤ 500 arcsec 1~2 μm ≤ 2 nm ≤ 3 mm 規(guī)格書下載圖片

高性能Detector、LED、HEMT全結(jié)構(gòu)外延片定制

基于高質(zhì)量的AlN和AlGaN材料生長技術(shù)，深紫科技科提供定制化的紫外探測器、LED及HEMT外延生長服務(wù)

紫外探測器

專業(yè)的PIN、APD、量子阱等結(jié)構(gòu)的AlGaN基紫外探測器全結(jié)構(gòu)研發(fā)、批量生產(chǎn)。多年的紫外探測器定制化服務(wù)經(jīng)驗，服務(wù)國內(nèi)外多家著名研究單位、企業(yè)，標準交期一個月，提供批量的芯片代工服務(wù)

深紫外UVC-LED

面向科研用途的UVC-LED上游外延片資源，支持科研單位將商用的UVC-LED外延片用于Nano/Micro-LED的前沿探索研究。2英寸，波長270~280 nm，3030芯片120 mA下8~12 mW，扎測電壓10V

HEMT

高度定制化的HEMT外延研發(fā)、中試服務(wù)商，根據(jù)客戶結(jié)構(gòu)定制生長。典型方阻275 Ω/□，二維電子氣1.2e13 cm-3，遷移率1900 cm2/Vs

因為專注，所以專業(yè)

我司外延團隊生長的全結(jié)構(gòu)材料在制作成器件后，已經(jīng)進入民用生活、工業(yè)應用、空間探測方方面面