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CBAS20A

CBAS20A

深紫外LED芯片
  • 產(chǎn)品特性:UVB 波段、高光功率、可靠性高、壽命長、環(huán)保節(jié)能

  • 應用領域:醫(yī)用光療、光學傳感器、生物分析/檢測、植物生長

2020 mil

尺寸

295~315 nm

波長

8~15 mW

光功率

100 mA

電流

AuSn

電極

倒裝

芯片結構

  • 產(chǎn)品照片
  • 器件結構
  • CBAS20A

    芯片長度 芯片寬度 GAP寬度 芯片厚度 芯片結構 電極
    524±30 μm 524±30 μm 150±5 μm 340±30 μm 倒裝 AuSn
  • 光電特征參數(shù)
  • UVC光電參數(shù)和SPEC范圍(@100mA,Ta = 25 ℃,RH=30%)

    Item Symbol Min. Typ. Max. Unit
    峰值波長 λp 295 / 315 nm
    光功率 P0 8 / 15 mW
    工作電壓 Vf 4.5 / 7.0 V
    驅(qū)動電流 If / 100 / mA
    最大工作電流 Ifmax / / 120 mA
    最大反向偏壓 Ifmax / / 8 mA
    波峰半高寬 Δλ / 11 / nm
    • 上述規(guī)格范圍以我司測量系統(tǒng)為準。測量系統(tǒng)的測量誤差為:峰值波長(λp):±1nm;光功率(P0):±10%;工作電壓(Vf):±0.1V。
    • 雖然所有的LED都是由我們的設備進行測試,但根據(jù)測試設備的條件,某些值可能會略有不同。

    波長范圍

    檔位 W31W32W33
    波長 (nm) 295~306306~310310~315

    光功率范圍

    檔位 P025P053
    光功率 (mW) 8~1010~15

    電壓范圍

    檔位 V1YV11V12V13V14
    電壓 (V) 4.5~5.05.0~5.15.1~5.25.2~5.35.3~5.4
    檔位 V15V16V17V52V02
    電壓 (V) 5.4~5.55.5~5.65.6~5.75.7~6.06.0~6.8

    儲存及使用環(huán)境條件

    Item Symbol Unit Value
    使用溫度 TOPR -30 ~ +65
    存儲溫度 TSTG -40 ~ +85
  • 光電參數(shù)圖例
  • CBAS20A
    • 上述測試數(shù)據(jù)源自深紫科技,視抽樣情況的不同,實際曲線將會存在一定差別。
  • 回流焊接
  • 回流焊接 Reflow soldering profile
    • 本產(chǎn)品為金錫電極,推薦使用助焊劑固晶,采用上述條件做回流焊,最高溫段不要高于325℃,時間不能超過10s。
  • 包裝規(guī)范
  • 標簽說明

    標簽 釋義
    TYPE 品種名
    SPEC 規(guī)格號,見各項分檔參數(shù)組合
    BIN No BIN號
    QTY 數(shù)量
    Date 日期
  • 可靠性測試
  • 測試項目 實驗條件 標準 失效比例
    常規(guī)驅(qū)動 T=25℃,標定電流,持續(xù)點亮1000小時 死燈 0/35
    冷熱沖擊 -40-120℃冷熱沖擊500次循環(huán),15min/cycle 死燈 0/35
  • 人體防護
  • 人體防護
    • 所有裝配工人,觀察員和旁觀者必須進行眼睛和皮膚保護;
    • 禁止裸眼觀察(包括通過顯微鏡)和在操作中裸露處理深紫外 LED;
    • 深紫外光線很容易被污染物吸收,切勿觸摸深紫外燈珠的光學結構 ;
    • 本產(chǎn)品為濕敏性產(chǎn)品,建議存儲溫度18℃~30℃,濕度30%~60%,密封保存,為保證產(chǎn)品質(zhì)量,外包裝袋未打開的,建議出廠后一年內(nèi)使用完;外包裝袋打開的,建議于24小時內(nèi)使用完,超過24小時需重新密封存放,下次使用前建議先采取除濕措施:溫度:65℃ 時間:5H。