芯片長度 | 芯片寬度 | GAP寬度 | 芯片厚度 | 芯片結構 | 電極 | 1158±30 μm | 1158±30 μm | 150±5 μm | 400±30 μm | 倒裝 | AuSn |
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Item | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Unit |
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峰值波長 | λp | 260 | / | 285 | nm |
光功率 | P0 | 30 | / | 80 | mW |
工作電壓 | Vf | 5.0 | / | 7.0 | V |
驅(qū)動電流 | If | / | 350 | / | mA |
最大工作電流 | Ifmax | / | / | 500 | mA |
最大反向偏壓 | Ifmax | / | / | 8 | mA |
波峰半高寬 | Δλ | / | 11 | / | nm |
檔位 | W01 | W02 | W13 |
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波長 (nm) | 260~270 | 270~280 | 280~285 |
檔位 | P104 | P105 | P106 | P107 | P108 |
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光功率 (mW) | 30~40 | 40~50 | 50~60 | 60~70 | 70~80 |
檔位 | V51 | V14 | V15 | V16 | V17 |
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電壓 (V) | 5.0~5.3 | 5.3~5.4 | 5.4~5.5 | 5.5~5.6 | 5.6~5.7 |
檔位 | V18 | V19 | V1A | V53 | V54 |
電壓 (V) | 5.7~5.8 | 5.8~5.9 | 5.9~6.0 | 6.0~6.5 | 6.5~6.8 |
Item | Symbol | Unit | Value |
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使用溫度 | TOPR | ℃ | -30 ~ +65 |
存儲溫度 | TSTG | ℃ | -40 ~ +85 |
標簽 | 釋義 |
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TYPE | 品種名 |
SPEC | 規(guī)格號,見各項分檔參數(shù)組合 |
BIN No | BIN號 |
QTY | 數(shù)量 |
Date | 日期 |
測試項目 | 實驗條件 | 標準 | 失效比例 |
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常規(guī)驅(qū)動 | T=25℃,標定電流,持續(xù)點亮1000小時 | 死燈 | 0/35 |
冷熱沖擊 | -40-120℃冷熱沖擊500次循環(huán),15min/cycle | 死燈 | 0/35 |