2018年6月21日，阿卜杜拉國王科技大學李曉航教授受邀到訪我司，進行第三代半導體學術交流指導，并作了“寬禁帶半導體材料、物理、器件、設備”相關報告。

李曉航教授在公司領導的陪同下先后參觀了公司展廳、超凈間平臺等各個研發(fā)生產辦公區(qū)。公司良好的工作環(huán)境、有序的生產流程、嚴格的質量控制、和諧的工作氛圍給李曉航教授留下了深刻得印象。期待雙方加強互動，在未來擬合作項目中實現深度合作、互補雙贏、共同發(fā)展！

參觀結束后，李曉航教授分享了深紫外激光、新型B-III-N材料、極化場工具箱三個方面的內容。李曉航教授采用TMA的預處理技術控制AlN極性，實現低位錯密度、高生長速率，高生長效率的AlN template生長，并制備了低閾值的光泵浦深紫外激光器。成功制備了含B 14%的BAlN合金，與AlN，GaN，SiC和Ga2O3晶格匹配更好。通過極化場工具箱計算尋找在C面襯底上長的異質結無極化作用的臨界點，來減弱器件中量子限制斯塔克效應，并給大家展示了BAlN材料在深紫外LED以及電子器件HEMT的應用以及作用。

李曉航教授正在進行學術分享

李曉航博士是阿卜杜拉國王科技大學 (KAUST)先進半導體實驗室的PI兼博士生導師，是該校2017-2018年被提名為杰出教學獎的教授之一，在美國佐治亞理工學院獲得電子工程博士學位，是半導體深紫外激光研究的先驅者之一。李曉航博士多次承擔美國能源部、美國國防高級研究計劃局、美國自然科學基金、中國自然科學基金和海灣阿拉伯國家合作委員會等研究項目。在全球首次實現在藍寶石上波長短于260納米激光和低閾值深紫外激光，首次實現在同一襯底上TE和TM半導體激光，首次實現半導體深紫外表面受激輻射。在B-III-N等新型第三代半導體研究做出了世界領先和開創(chuàng)性的成果，在第三代半導體高水平雜志和會議上發(fā)表了120余篇論文，被引用1200余次（h指數16），在國際會議大學研究所和公司做受邀報告30余次。曾榮獲SPIE協(xié)會年度最高獎、IEEE Photonics Society協(xié)會博士生年度最高獎、佐治亞理工學院研究生最高獎等諸多榮譽。

李曉航教授（左四）與我司相關員工，華中科技大學研究人員合影