2018年6月21日、アブドラ王科學(xué)技術(shù)大學(xué)の李暁航教授は招かれて我が社を訪れ、第三世代半導(dǎo)體學(xué)術(shù)交流指導(dǎo)を行い、「広い禁止帯半導(dǎo)體材料、物理、器具、設(shè)備」に関する報告を行った。

李暁航教授は會社の指導(dǎo)のもとに、會社の展示室、超浄間プラットフォームなどの各研究開発生産オフィスを見學(xué)しました。會社の良好な仕事環(huán)境、秩序ある生産プロセス、厳格な品質(zhì)管理、調(diào)和の取れた仕事雰囲気は李暁航教授に深い印象を殘しました。雙方が相互作用を強化することを期待して、未來に協(xié)力プロジェクトを計畫する中で深度の協(xié)力、相互補完のウィンウィン、共同発展を?qū)g現(xiàn)します。

見學(xué)が終わった後、李暁航教授は深い紫外線レーザー、新型B-II-N材料、偏光場の工具箱の三つの方面の內(nèi)容を共有しました。李暁航教授はTMAの前処理技術(shù)を用いてAlN極性を制御し、低転位密度、高成長速度、高成長効率のAlN template成長を?qū)g現(xiàn)し、低閾値の光ポンプ深紫外レーザを作製した。B 14%を含むBAlN合金の調(diào)製に成功し，AlN，GaN，SiC，Ga 2 O 3格子との整合がより良い。分極場ツールボックス計算によりC面基板上に長いヘテロ接合の無分極作用の臨界點を探して，素子における量子閉じ込めスターク効果を弱め，深い紫外LED及び電子デバイスHEMTにおけるBAlN材料の応用と役割を示した。

李暁航教授は學(xué)術(shù)共有を行っています。

李暁航博士はアブドラ王科學(xué)技術(shù)大學(xué)（KAUST）先進半導(dǎo)體実験室のPI兼博士課程の指導(dǎo)者で、この學(xué)校の2017-2018年に優(yōu)秀な教授賞にノミネートされた教授の一人で、米國ジョージア工科大學(xué)で電子工學(xué)博士號を獲得し、半導(dǎo)體深紫レーザー研究の先駆者の一人です。李暁航博士は何回も米國エネルギー部、米國防高級研究計畫局、米國自然科學(xué)基金、中國自然科學(xué)基金、灣岸アラブ國家協(xié)力委員會などの研究プロジェクトを擔(dān)當(dāng)しています。全世界で初めてサファイア上の波長が260 nm以下のレーザと低閾値の深い紫外レーザを?qū)g現(xiàn)し，同じ基板上のTEとTM半導(dǎo)體レーザを初めて実現(xiàn)し，半導(dǎo)體の深い紫外表面の勵起放射を初めて実現(xiàn)した。B-II-Nなどの新型第三世代半導(dǎo)體研究は世界的にリードし、創(chuàng)始的な成果をあげ、第三世代半導(dǎo)體ハイレベル雑誌と會議で120編以上の論文を発表し、1200回以上の論文（h指數(shù)16）を引用し、國際會議大學(xué)研究所と會社で30回以上の講演を行った。SPIE協(xié)會の年間最高賞、IEEE Photonics Society協(xié)會の博士生年間最高賞、ジョージア工科大學(xué)大學(xué)院最高賞など多くの栄譽を獲得しました。

李暁航教授（左四）は我が社の関係社員と華中科技大學(xué)の研究者と一緒に寫真を撮りました。