2018年6月21日，阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)李曉航教授受邀到訪我司，進(jìn)行第三代半導(dǎo)體學(xué)術(shù)交流指導(dǎo)，并作了“寬禁帶半導(dǎo)體材料、物理、器件、設(shè)備”相關(guān)報(bào)告。

李曉航教授在公司領(lǐng)導(dǎo)的陪同下先后參觀了公司展廳、超凈間平臺(tái)等各個(gè)研發(fā)生產(chǎn)辦公區(qū)。公司良好的工作環(huán)境、有序的生產(chǎn)流程、嚴(yán)格的質(zhì)量控制、和諧的工作氛圍給李曉航教授留下了深刻得印象。期待雙方加強(qiáng)互動(dòng)，在未來(lái)擬合作項(xiàng)目中實(shí)現(xiàn)深度合作、互補(bǔ)雙贏、共同發(fā)展！

參觀結(jié)束后，李曉航教授分享了深紫外激光、新型B-III-N材料、極化場(chǎng)工具箱三個(gè)方面的內(nèi)容。李曉航教授采用TMA的預(yù)處理技術(shù)控制AlN極性，實(shí)現(xiàn)低位錯(cuò)密度、高生長(zhǎng)速率，高生長(zhǎng)效率的AlN template生長(zhǎng)，并制備了低閾值的光泵浦深紫外激光器。成功制備了含B 14%的BAlN合金，與AlN，GaN，SiC和Ga2O3晶格匹配更好。通過(guò)極化場(chǎng)工具箱計(jì)算尋找在C面襯底上長(zhǎng)的異質(zhì)結(jié)無(wú)極化作用的臨界點(diǎn)，來(lái)減弱器件中量子限制斯塔克效應(yīng)，并給大家展示了BAlN材料在深紫外LED以及電子器件HEMT的應(yīng)用以及作用。

李曉航教授正在進(jìn)行學(xué)術(shù)分享

李曉航博士是阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué) (KAUST)先進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室的PI兼博士生導(dǎo)師，是該校2017-2018年被提名為杰出教學(xué)獎(jiǎng)的教授之一，在美國(guó)佐治亞理工學(xué)院獲得電子工程博士學(xué)位，是半導(dǎo)體深紫外激光研究的先驅(qū)者之一。李曉航博士多次承擔(dān)美國(guó)能源部、美國(guó)國(guó)防高級(jí)研究計(jì)劃局、美國(guó)自然科學(xué)基金、中國(guó)自然科學(xué)基金和海灣阿拉伯國(guó)家合作委員會(huì)等研究項(xiàng)目。在全球首次實(shí)現(xiàn)在藍(lán)寶石上波長(zhǎng)短于260納米激光和低閾值深紫外激光，首次實(shí)現(xiàn)在同一襯底上TE和TM半導(dǎo)體激光，首次實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體深紫外表面受激輻射。在B-III-N等新型第三代半導(dǎo)體研究做出了世界領(lǐng)先和開(kāi)創(chuàng)性的成果，在第三代半導(dǎo)體高水平雜志和會(huì)議上發(fā)表了120余篇論文，被引用1200余次（h指數(shù)16），在國(guó)際會(huì)議大學(xué)研究所和公司做受邀報(bào)告30余次。曾榮獲SPIE協(xié)會(huì)年度最高獎(jiǎng)、IEEE Photonics Society協(xié)會(huì)博士生年度最高獎(jiǎng)、佐治亞理工學(xué)院研究生最高獎(jiǎng)等諸多榮譽(yù)。

李曉航教授（左四）與我司相關(guān)員工，華中科技大學(xué)研究人員合影