8月8日，由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦的“紫外光電器件培訓(xùn)會”在揚州會議中心成功舉辦，40余家單位代表參加了培訓(xùn)。CSA常務(wù)副秘書長阮軍出席會議并致辭，與北京大學(xué)沈波教授、廈門大學(xué)康俊勇教授、南京大學(xué)陸海教授共同主持了本次培訓(xùn)會。

CSA常務(wù)副秘書長  阮軍

CSA常務(wù)副秘書長阮軍在致辭中表示，紫外光電器件作為半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)新的市場方向，具有廣闊的應(yīng)用前景。為行業(yè)了解紫外LED及探測器技術(shù)進展，培養(yǎng)掌握理論、實踐綜合知識的高素質(zhì)復(fù)合人才，聯(lián)盟組織邀請了紫外光電從外延、芯片、封裝等領(lǐng)域的教授、專家開展此次培訓(xùn)會，感謝諸位專家老師能百忙之中安排時間授課，希望參與培訓(xùn)的學(xué)員能夠充分抓住此次學(xué)習(xí)機會，與專家老師們深入交流，掌握先進技術(shù)同時，也為企業(yè)和產(chǎn)業(yè)貢獻力量。

氮化物半導(dǎo)體在半導(dǎo)體照明、新一代移動通訊、新一代通用電源、雷達(dá)新能源汽車等領(lǐng)域有重大應(yīng)用，對國家的產(chǎn)業(yè)升級、節(jié)能減排、國防安全具有戰(zhàn)略意義。同時，氮化物半導(dǎo)體也是全球高技術(shù)競爭的關(guān)鍵領(lǐng)域之一，其中AlN和高Al組分AlGaN是固態(tài)和紫外發(fā)光不可替代的半導(dǎo)體材料。

北京大學(xué) 沈波教授

北京大學(xué)理學(xué)部副主任、寬禁帶半導(dǎo)體中心副主任沈波教授分享《藍(lán)寶石上AIN的外延生長和深紫外LED器件的研究》。報告中指出，由于異質(zhì)外延和體系內(nèi)部大失配、強極化的特性，AlN、高Al組分AlGaN及其量子結(jié)構(gòu)的外延生長和DUV-LED研制依然面臨一系列關(guān)鍵科學(xué)和技術(shù)問題，需要開展更為系統(tǒng)的研究。采用高溫退火和“小合攏區(qū)NPSS側(cè)向外延”方法制備出高質(zhì)量AlN和高Al組分AlGaN外延層，AlN層XRD搖擺曲線半高寬為132(002)/140（102）arcsec，i-AlNGaN層（58%Al組分）為151（002）/235（102）arcsec；發(fā)光波長279nm，IQE超過80%。

廈門大學(xué) 康俊勇教授

廈門大學(xué)康俊勇教授分享《紫外LED發(fā)光機理和科學(xué)問題》主題報告。報告中首先介紹了半導(dǎo)體紫外光源優(yōu)勢，對LED發(fā)光機理及半導(dǎo)體/金屬電極歐姆接觸、注入效率、內(nèi)量子效率、出光效率、效率下降、非平衡生長等科學(xué)要點問題進行了詳細(xì)講解。

華中科技大學(xué) 陳長清教授

發(fā)展深紫外LED產(chǎn)業(yè)意義重大，完全符合國家發(fā)展戰(zhàn)略。華中科技大學(xué)陳長清教授分享《紫外LED技術(shù)及應(yīng)用》主題報告。報告中指出，紫外光源市場中，傳統(tǒng)汞燈正逐步被UV-LED取代，紫外UV-LED在光固化、光療、殺菌消毒的領(lǐng)域已成為未來技術(shù)發(fā)展趨勢。近紫外LED固化市場處于快速增長期，CAGR~23%，深紫外LED殺菌凈化市場處于爆發(fā)性增長初期，CAGR~210%。近紫外LED技術(shù)較為成熟并發(fā)展迅速，已應(yīng)用于噴繪、膠印、光纖、液晶等領(lǐng)域的光固化。實現(xiàn)芯片及光源系統(tǒng)的光、熱和結(jié)構(gòu)協(xié)同匹配優(yōu)化成為工作重點。深紫外LED芯片性能仍需提高，制備高質(zhì)量的AlGaN材料和提高芯片光提取效率將是未來深紫外LED的研究重點。

南京大學(xué)陸海教授

南京大學(xué)陸海教授詳解《紫外光電探測器技術(shù)及應(yīng)用》主題報告。首先從技術(shù)應(yīng)用背景與需求，紫外探測器分類與基礎(chǔ)知識，紫外探測器技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀，面臨的科學(xué)與技術(shù)問題詳細(xì)展開。常規(guī)結(jié)構(gòu)GaN基和SiC紫外探測器已經(jīng)達(dá)到產(chǎn)業(yè)化水平，并在不斷拓展新型應(yīng)用；用于材料成熟度較高，SiC紫外單光子探測器已經(jīng)可以實現(xiàn)較好的性能；寬禁帶紫外單光子探測技術(shù)正向“成像陣列”方向發(fā)展。寬禁帶光電探測器在EUV和軟x射線探測領(lǐng)域可能有新進展。

華中科技大學(xué) 陳明祥教授

華中科技大學(xué)陳明祥教授介紹《紫外/深紫外LED封裝技術(shù)》研究報告。他表示，紫外LED技術(shù)優(yōu)勢明顯，已替代汞燈成為新一代紫外光源。淺紫外LED可采用白光 LED封裝技術(shù)（材料/結(jié)構(gòu)/工藝），主要應(yīng)用于光固化、光催化、防偽等領(lǐng)域；深紫外LED必須采用全無機封裝材料，氣密封裝、低溫焊接，與提高光效是其技術(shù)關(guān)鍵；深紫外LED器件主要應(yīng)用于殺菌/消毒，在流動空氣與水體，凈化領(lǐng)域前景廣闊?？煽啃院统杀臼怯绊懮钭贤釲ED器件應(yīng)用的主要因素。

北京華創(chuàng)智道知識產(chǎn)權(quán)咨詢服務(wù)公司副總裁禇戰(zhàn)星

北京華創(chuàng)智道知識產(chǎn)權(quán)咨詢服務(wù)公司副總裁禇戰(zhàn)星分享了《UVLED專利技術(shù)分析》專題報告。全球?qū)＠焖僭鲩L，進入布局黃金時期。照明、消毒、醫(yī)療等應(yīng)用是未來布局重點。美、日、韓進入中國步伐加快。他建議，就UVLED技術(shù)專利布局要做好產(chǎn)業(yè)知識產(chǎn)權(quán)風(fēng)險應(yīng)對工作，建立起產(chǎn)業(yè)知識產(chǎn)權(quán)主場優(yōu)勢，關(guān)注跟蹤主要競爭對手全球布局，加強該產(chǎn)業(yè)專利全球布局。

東莞市國瓷新材料科技有限公司吳朝暉博士

東莞市國瓷新材料科技有限公司吳朝暉博士帶來了《UVLED陶瓷封裝基板及封裝技術(shù)》主題報告。據(jù)了解，2022年全球UVLED市值將達(dá)到12.3億美金，其中深紫外LED將達(dá)到9億美元，對應(yīng)的陶瓷基板市值約2億美金，年復(fù)合增長率74%。未來深紫外封裝技術(shù)朝向更高能量密度發(fā)展，并且深紫外LED市場面臨消費者對其功能性、安全性、便利性和性價比四大因素的綜合考量。

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所魏學(xué)成研究員

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所魏學(xué)成研究員分享了《紫外光電器件及應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)綜述》主題報告，從紫外光源器件技術(shù)與市場概況、紫外LED應(yīng)用領(lǐng)域、紫外技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)概況、UV LED標(biāo)準(zhǔn)體系四方面進行展開。他介紹，目前UV LED市場的主要應(yīng)用還是固化（2018年市場規(guī)模約1.2億美元，占比大約58%）；從2021年開始，UVC LED性能逐漸提升，消毒凈化的市場將崛起并逐漸取代固化應(yīng)用的統(tǒng)治地位（預(yù)測2021年市場規(guī)模約2.4億美元，占比大約56%）。深紫外LED面臨晶體質(zhì)量差、電注入效率低、極化效應(yīng)、低的光提取效率技術(shù)瓶頸。

最后，CSA聯(lián)盟常務(wù)副秘書長阮軍做會議總結(jié)，他表示，非常感謝各位專家為本次培訓(xùn)會精心準(zhǔn)備的培訓(xùn)課件，感謝各企業(yè)技術(shù)負(fù)責(zé)人、高校老師、學(xué)生報名參加、積極互動，不過本次活動時間安排還是比較緊張，今后聯(lián)盟將會吸取經(jīng)驗，設(shè)置更多問答、互動環(huán)節(jié)，根據(jù)產(chǎn)業(yè)熱點需求開展此類活動，為行業(yè)提供更好的學(xué)習(xí)、溝通、交流的平臺，促進產(chǎn)業(yè)發(fā)展進步。最后再次感謝大家的參與和對聯(lián)盟的支持，本次會議圓滿完成。