單個器件內(nèi)含兩種芯片,分別為 UVC 和齊納二極管。其中齊納二極管對 UVC 起 ESD 防護(hù)作用;
正負(fù)極標(biāo)示如上圖所示,正面缺口為負(fù)極,背面缺角為負(fù)極,編帶產(chǎn)品圓孔端為負(fù)極;
Item | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Bin | Unit |
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峰值波長 | λp | 260 | / | 280 | 如分檔 | nm |
光功率 | P0 | 80 | / | 150 | / | mW |
工作電壓 | Vf | 10 | / | 14 | 1 | V |
驅(qū)動電流 | If | / | 400 | / | / | mA |
出光角 | 2θ1/2 | / | 30 | / | / | deg. |
波峰半高寬 | Δλ | 7 | / | 13 | / | nm |
熱阻 | RΘj-b | / | 20 | / | / | ℃/W |
檔位 | W01 | W02 |
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波長 (nm) | 260~270 | 270~280 |
檔位 | P205 | P255 | P256 |
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光功率 (mW) | 80~100 | 100~125 | 125~150 |
檔位 | VG1 | VG2 | VG3 | VG4 |
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電壓 (V) | 10~11 | 11~12 | 12~13 | 13~14 |
參數(shù) | 符號 | 數(shù)值 | 單位 |
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功耗 | Pd | 8400 | mW |
正向電流 | If | 600 | mA |
正向電壓 | Vf | 5~7 | V |
使用溫度 | TOPR | -30~60 | ℃ |
存儲溫度 | TSTG | -40~100 | ℃ |
結(jié)溫 | Tj | 80 | ℃ |
靜電(人體模式) | ESD | 2000 | V |
載帶 | |
卷盤 | |
鋁箔袋包裝 |
標(biāo)簽 | 釋義 |
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TYPE | |
SPEC | WXXPXXVXXA1,具體含義請參照SPEC范圍 |
LOTS | 批次號 |
QTY | 數(shù)量 |
Date | 日期 |
測試項(xiàng)目 | 實(shí)驗(yàn)條件 | 標(biāo)準(zhǔn) | 失效比例 |
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常溫老化 | T=25℃,標(biāo)定電流,持續(xù)點(diǎn)亮1000小時 | ΔPo≤15%,ΔVF≤20% | 0/10 |
冷熱沖擊 | -40~+100℃冷熱沖擊300次循環(huán),30min/cycle | ΔPo≤15%,ΔVF≤20% | 0/10 |
抗靜電 | R=1.5k?, C=100pF,Voltage level=2kV | ΔPo≤15%,ΔVF≤20% | 0/10 |