深い紫外UV UV-LEDの典型的なパッケージ構(gòu)造では、UVCチップは錫ペースト半田または共晶半田でセラミックステーに溶接することができる。これらの二つのカプセル化プロセスの溶接溫度の違いは，後続のビーズSMTが許容できる最大のリフロー溫度に大きな差を生じさせた。同時(shí)に、いくつかの特殊な接著剤のプロセスも高溫度のリフロー過(guò)程において、チップが溶接盤から離れて、ダミー半田を形成し、最終的に遮斷ランプを形成しやすいです。したがって、我が社のビーズSMTプロセスは、高い確率での消燈を避けるために、推奨されたリフロー曲線を厳格に実行しなければならない。

1、錫ペースト溶接と共晶溶接パッケージランプビーズの還流溫度耐性

1.1、錫ペースト溶接：錫ペーストを點(diǎn)けるようにダイパッドとステーを溶接します。従來(lái)の銀ペースト固形熱抵抗に比べて熱伝導(dǎo)性能が大幅に向上し、チップから発生した熱が急速に放出されると同時(shí)に、その機(jī)械的性質(zhì)が著しく強(qiáng)化され、ビーズの信頼性が向上します。

1.2、共晶溶接：二つの異なる金屬はそれぞれの融點(diǎn)溫度よりもはるかに低い溫度で一定の重量の割合で合金を形成することができる。共晶溶接は熱伝導(dǎo)率が高く、抵抗が小さく、熱伝達(dá)が速く、信頼性が強(qiáng)く、接著後のせん斷力が大きいという利點(diǎn)があり、溶接顔の穴率は比較的低いが、設(shè)備コストが高い。

現(xiàn)在、弊社の固形結(jié)晶に使われている錫ペースト融點(diǎn)は217℃で、共晶溶接で最もよく使われている共晶半田は金錫合金で、その共晶溫度は278℃で、共晶工程よりも錫ペースト溶接穴率が比較的高いです。

2、シリカゲルパッケージ/レンズパッケージ紹介

2.1、以上は弊社の主な供給のビーズです。二つのパッケージプロセスがあります。一つはシリカゲル充填（PSMビーズ）、一つはレンズパッケージ（QSCシリーズのビーズ）です。PSMビーズは固形完成後直接耐紫外シリカゲルを充填してカプセル化したが、レンズパッケージ內(nèi)部にはコロイド充填がなく、UVゴムによってレンズをブラケットステップに直接固定してカプセル化した。

2.2、PSMランプビーズはシリカゲル充填プロセスの原因で、熱を受けるとコロイドが熱障害により內(nèi)部応力が増加することが避けられないため、チップとブラケットの界面にかける応力が大きくなり、深刻な時(shí)にチップとブラケットの剝離による開路死燈が発生するため、QSCシリーズのビーズに比べて、PSMビーズは過(guò)電流溶接時(shí)に開路死燈現(xiàn)象が発生しやすい。

3、必ず守る還流溫度曲線

シリカゲルU(xiǎn)V-LEDビーズ充填

シリカゲルU(xiǎn)V-LEDビーズ充填パッチは低溫の錫ペーストを使ってリフロー溶接を行うべきで、溫度は155℃を超えてはいけません。ピーク時(shí)間は20秒で、リフロー時(shí)間は5分を超えてはいけません。錫ビスマス錫ペーストの使用を勧めます。

水晶レンズ実裝UVC-LEDビーズ

水晶レンズ実裝UVC-LEDビーズパッチは低溫錫ペーストを使ってリフロー溶接を行うべきで、溫度は170℃を超えてはいけません。ピーク時(shí)間は20秒で、リフロー時(shí)間は5分を超えてはいけません。錫ビスマス錫ペーストの使用を勧めます。