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? ? ? ?? ? ?? MPC - DUV LED ? ? ? ? ?? ?? ? ? ? ???? ? ?? ? ? ? ?.APPSYS ? ? ?? ? ? ? ? ?? ?? i - GaN ? ? ?? ? 5 × 10 ? ? ? ? ??.6 V/cm,超過(guò)氮化鎵材料中蓋革模式的閾值電場(chǎng)(2.4~2.8×106 V/cm),因而有極大的概率在耗盡層中發(fā)生碰撞電離,獲得幾十乃至上百倍的高增益,從而實(shí)現(xiàn)空穴載流子數(shù)量級(jí)的提高。
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